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半导体芯片清洗用高纯水设备的设计

产品展示

半导体芯片清洗用高纯水设备的设计

产品名称

半导体芯片清洗用高纯水设备的设计

没有此类产品
描述
 
芯片封装生产工艺流程简介:
(1)芯片:为外购的合格芯片。
(2)磨划片:首先将蓝膜贴在芯片的正面,目的是保护圆片正面的芯片防止擦伤、沾污等。接着利用全自动磨片机对芯片的背面进行研磨处理,使芯片厚度
达到要求。磨片后将蓝膜揭除。然后在芯片的背面贴一层蓝膜,目的是将芯片固定从而可以进行划片,并在划片后分成每颗芯片时不会脱落,以便于下道装片
序。接着利用全自动划片机将晶片分离成单个芯片。在磨划片过程中会产生热量,因此需要用纯水进行冷却,同时在磨划时芯片表面会产生细小微粒,需要
用高纯水设备产生高纯水进行清洗。
电子级高纯水设备工艺流程:

电子级高纯水设备工艺介绍:

   原水→原水箱→增压泵→石英砂过滤器→活性炭过滤器→阻垢剂加药系统/还原剂加药系统→保安过滤器→中间水箱→高压泵1→反渗透装置1→

中间水箱→PH调节装置→高压泵2→反渗透装置2→纯水箱→输送泵→精密过滤器→EDI电除盐系统→EDI高纯水箱→输送泵→抛光混床→TOC去除器→

精密过滤器用水点

注:本系统采用反渗透+EDI处理工艺,主要有四个部分组成,预处理系统、二级反渗透主机系统、EDI电除盐系统、抛光混床系统;

原水采用自来水通过增压泵增压进入石英砂过滤器、活性炭过滤器,去除水中的悬浮物、胶体、有机物及余氯,配套有絮凝剂加药系统和阻垢剂加药系统,可有效降低水中浑浊度,防止反渗透膜的结垢,提高反渗透膜的使用寿命;

二级反渗透系统采用美国陶氏反渗透膜技术,自动制膜技术有效保证每支膜的水处理性能。一级反渗透采用BW30-400型号的反渗透膜,该膜具有脱盐率较高、操作压力较小,抗污染性能,膜的脱盐率可以达到99.7%;二级反渗透膜采用BW30-365系列膜,该膜广泛使用二级反渗透系统中。二级反渗透出水水质电导率可以达到4微西门子以下;

EDI电除盐系统采用原装进口西门子模块,EDI作为绿色脱盐模式,具有以下优点:占地面积省、运行成本低、系统设计简单、水质稳定、安装维修简便、绿色环保,不需要酸碱再生、可实现连续生产。EDI出水电阻率可以达到15~17兆欧;

 

抛光混床系统采用上海树脂厂和罗门哈斯合资品牌抛光核级树脂,抛光混床作为制取超纯水的核心部件,经处理后出水可以达到18兆欧以上,满足微电子行业用水要求;

技术参数总表(以15t/h高纯水设备为例)

 

项目型号

 CL-15T/H型高纯水设备

应用行业

微电子冲洗用水

设备控制方式

触摸屏 PLC控制,各液位、压力连锁控制,实现无人值守

产水量

15T/H

进水水质指标

市政自来水 ,电导率≤1000μS/cm

产水水质

电导率≤0.055μS/cm(电阻率≥18MΩ.CM

反渗透设备系统脱盐率

99.7%

自来水损耗

26t/h

进水温度

2~35℃

工作方式

24小时运行

设备最大运行质量

预处理部分约30

二级反渗透主机系统约5

EDI电除盐和抛光混床:约4

设备额定功率

55KW

电源

380V  AC  50HZ  三相五线

反渗透系统回收率

50~75%

主机设备规格尺寸

6000*宽2500*2000

厂房建议尺寸(含操作维护空间)

19000*8000*7000

进水口径

DN100 PN1.0法兰接口

出水口径

DN65 PN1.0法兰接口

排污口径

DN150 PN1.0法兰接口

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